篇一：巧记五个数字,智取半壁江山
高考作文技巧
好像现在都反对套子作文了，这真是进步。可是对于那些连一点办法的孩子来说，套子作文也是难得的好东西，至少有章法可循了。
高考作文技巧
巧记五个数字，智取半壁江山
高考作文向来被视为语文高考的“半壁江山”。如何稳住这半壁江山，我们不妨记住并灵活运用“一三五七九”这五个数字。
“一”包括“一个好标题”“一个好中心”“一个好开头”“一个好结尾”和“一手好字”。
（一）一个好标题
常言道，题好一半文。题目是文章的眉目．题目是文章的眼睛。就自拟文题的高考作文而言，一个亮丽的题目，往往给人以爽心之乐．给人以悦目之感，给人以击节之叹，给人以回味之思。简洁、清晰、生动、新颖是题目亮丽的要素。一个醒目鲜活的文题．往往是内容的高度概括．它可以总领全文，不但会照亮整篇作文，还会照亮阅卷者的心灵。
拟题的技巧多种多样，有修辞法、公式法、字母符号法、反弹琵琶法等。而修辞法则是最能使题目异彩飞扬的一种。如《 苦咖啡》 《 至善是杂》《永恒的水晶》 《 我闻到了阳光》《周庄，那一抹绿》 《 小心这把双刃剑》 《 海棠依旧？绿肥红瘦？》 《炖好艺术的“腊八粥”》等，看到这样的文题．阅卷老师的眼睛怎不会为之一亮？心灵怎不会为之一震？
（二）一个好中心
“中心明确”是《考试说明》基础等级的基本要求。尤其是议论性文章，一定要“中心明确，论点鲜明”。注意点：第一不宜玩深沉，把观点提得太复杂，也不可太超前，更不要提出个与话题、题目或材料太逆向的观点；第二．明确表明赞成什么、反对什么、肯定什么、否定什么；第三，文章中心论点应该始终不变，不能提出与中心论点相对立或矛盾的观点；第四，思想健康．积极向上。
（三）一个好开头
古人云，起句当如爆竹，骤响易彻；古人还说，文章开头要像凤头。好的开头．要简洁、精美、扣题；要像凤头一样俊美、鲜明、精彩；要具有“新”“奇”“短”“趣”的特点。 一般来说，文章开头力求做到一简二美三有哲理。简，就是开篇语言简洁，直奔主题．使读者一目了然；美，就是开头的语言能给人以美感，或文采斐然，或意境深远，或情趣盎然，使读者心灵产生共振。哲理，是一种深度，一种高度，如果都做到了，那效果肯定错不了。开头的方法有很多：述趣事，引人人胜；引名句．起点高远；作排比，造势磅礴；巧设问，发人深思；趣拟人，别开生面。高考作文，由于受时间字数的限制，最好是“开门见山”：或“落笔人题”，说明写作缘由；或“开宗明义”，揭示全文主题；或“言归正传”，快速开讲故事；或“单刀直人”，挑明论敌谬说。当然，也可以采用“形象化”的写法：或描写环境，以引出人物；或抒发感情，以渲染气氛；或先叙故事，以引出深刻道理；或借诗词谣谚，以之为叙事开端。
（四）一个好结尾
古人云，结句当如撞钟，清音有余；古人亦说，文章结尾要像豹尾。托尔斯泰也说：“好的结尾．就是当读者把作品读完之后，愿把它的第一页翻开来重新再读一遍。”结尾，是文章结构的有机组成部分，是文章的收笔处和落脚点，是全文的归宿。任何虎头蛇尾、有头没尾的文章，都很难引起读者的审美情感，很难获取高分。
结尾的方法也很多：总结全文，以揭示主旨：展示未来，以鼓舞斗志；抒发情怀．以增强文章感染力；造语含蓄，使读者掩卷而思仍遐想不已。好的结尾，如干果，耐人咀嚼；如醇洒，令人回味；如妙曲，余音不绝；如撞钟，引人警醒。要达到这些效果，可以含蓄蕴藉，启人
心智；可以首尾呼应，整合一体；可以吟诗作结，涵义隽永；可以提疑质问．发人深思。
（五）一手好字
丑陋是永远打不赢的官司。书写是文章的服饰，标点是文章的呼吸。《 考试说明》 要求：“书写规范．标点正确（每一个错别字扣1 分，重复的不计）" ．《高考作文评分通用量表》书面项则进一步明确规定：“字迹潦草．难以辨认，标点不清或错别字过多，判为五类卷”所以．我们要尽最大的努力展示出自己的书写水平：一要端正，二要清楚．三要美观。标点也是文章准确表情达意的工具。不要只是“一点到底”．不要只会单纯地使用逗号、句号一篇文章，应该能够准确、灵活、生动地使用六七种标点符号。书写美观了，“感情分”也就上去了！
这主要是针对议论性文章而言的。“三”包括“三大部分”“三个好事例”与“三处点明中心”（一）三大部分总结中学语文教材中所学的议论文．绝大多数都是由“引论（提出问题）" “本论（分析问题）" 与“结论（解决问题）”三大部分构成，这就是通常所说的“三段（部分）式”。所以，高考作文选择了议论文体，一定要按照中规中矩的“三段（部分）式”去写，这样才会符合文体要求。
（二）三个好事例
议论文要求“有理有据”．所谓“据”，就是要有事例说明。对事例的要求有三：切题、典型与新颖。一篇优秀的议论文至少应该有三个好事例：
从结构上看，“三个好事例”一般要求有：一个大事例；一个小事例；一组排比小事例。一个大事例：就字数而言，一般在150 一200字之间；就内容而言，最好是正面事例。一个小事例：就字数而言，一般在70 一100 字之间；就内容而言，可以是反面事例。一组排比小事例：字数较少，一组排比形成一个整体．可以是递进事例。
在大事例和小事例后面，要紧跟着说理论证，此即所谓的“讲道理”。说理论证有因果法、假设法、条件分析法、归纳分析法等．对高考作文而言，运用“因果分析法”与“假设分析法”比较适宜。从内容上看“三个好事例”最好同时有：一个正面事例；一个反面事例；一个递进事例。
（三）三处点明中心
点明中心即通常所说的“点题”学会巧妙点题，是使读者一母了然．便于掌握中心．抓住重点，提高阅读效率：二是使中心突出，给人留下深刻印象；三是升华文章主题，能使读者豁然开朗。
文中要有反复出现题目（话题）字眼或标志性语言，材料本身的关键词或概括材料的语句至少要在文章开头、中间、结尾等醒目位置出现几次，这样对阅卷者的视觉会产生一定的冲击效果。具体可在下面几个位置点题：
一是文章第一段的开头或结尾．或文章第二段的开头，这里一般都是文章提出中心论点的地方。
二是中间每个大段落的第一句话，要点明本段的中心，或者引用完论据后可以发表议论，扣住议论中心。
三是文章最后一段，或倒数第二段的结尾，这些地方一般都是总结全文的地方，可以用精当的语言总结扣题。
“五”
“五“是指“五个段落”。
议论性文章的结构除了首、尾两段，其余都称为主体部分，主体部分一般分为3 ? 5 段，而以三段为佳，这就是所谓的“五个段落”。主体部分的三段，每段属于一个分论点，三段就是三个分论点，即文章从三个方面来分析论证中心论点。至于分论点的表达．可依据“类（是什么）一因（为什么）-----法（怎么办）一果（怎么样）”的逻辑思路来提炼。
当然，“五个段落”有时候也可稍作变通，必要时可写到6 、7 段。但如果分段太多，过于零碎，就会显得笔力分散。
“七”
“七”是指“七个精品句”。
名人说出的话并非句句是名言，凡人也未必说不出富有哲理意味或意义深刻的语言来。这样的语言往往能体现出一个人的思维水平和思想深度；能够引起阅读者的注意，耐人咀嚼回味；进而引起思想上的共鸣。
品读高考满分佳作，我们会发现，有一种光芒最为耀眼－一那就是精品句子！
一篇优秀的作文，应该写出六七个精品句子：一是生动美丽的比喻句；二是气势恢宏的排比句；三是情感充沛的拟人句；四是底蕴深厚的化用句；五是启人心智的哲理句；六是相得益彰的对照句；七是灵动美妙的诗化句。善用这些精品句，言简意赅，寓意深刻，画龙点睛，辉映全篇，以一当十，文采自然大增。
“九”
“九”是指“九百字”
高考作文要求“不少于800字”，但实际评卷操作则不然。刚刚写满800 字，阅卷人会默认为文章“材料不够丰富”．而暗扣印象分我们以为，高考作文一般写到850一900字比较适宜。字太少，容易被暗扣分；字太多，时间上划不来，何况在紧张的评卷中，谁也不会喜欢懒婆娘的裹脚布”。
总之，文无定法，文亦有法。上面五个数字，只要根据文章的实际需要，以最能发挥出个人才能，显示出个人才华，最能引起阅卷人的注意和兴趣为出发点，随文而悟，灵活运用即可。但也要知道，“若将天地常揣摩，妙理终有一日开”所以，考前须广泛阅读．注重积累，并多接触，多借鉴，多体味，多练笔，否则，纸上谈兵，半壁江山，拱手推让，痛何如哉！
篇二：半导体物理第五章习题答案
第5章 非平衡载流子
1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3，已知空穴寿命为100?s，计算空穴的复合率。
解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此
1013
U???1017cm?3?s ?6
?100?10
??0
2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀吸收，产生额外载流子，产生率为gp，
空穴寿命为?，请 ①写出光照开始阶段额外载流子密度随时间变化所满足的方程； ②求出光照下达到稳定状态时的额外载流子密度。
解：⑴光照下，额外载流子密度?n=?p，其值在光照的开始阶段随时间的变化决定于产生和复合两种过程，因此，额外载流子密度随时间变化所满足的方程由产生率gp和复合率U的代数和构成，即
d(?p)?p
?gp? dt?
d(?p)
?0，于是由上式得 ⑵稳定时额外载流子密度不再随时间变化，即
dt
?p?p?p0?gp?
3. 有一块n型硅样品，额外载流子寿命是1?s，无光照时的电阻率是10??cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1022/cm3?s，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多大比例？
解：光照被均匀吸收后产生的稳定额外载流子密度
?p??n?gp??1022?10?6?1016 cm－3
取?n?1350cm2/(V?s)，?p?500cm/(V?s)，则额外载流子对电导率的贡献
2
????pq(?n??p)?1016?1.6?10?19?(1350?500)?2.96 s/cm
无光照时?0?
1
?0
?0.1s/cm，因而光照下的电导率
???0????2.96?0.1?3.06s/cm
相应的电阻率 ??
1
?
?
1
?0.33??cm 3.06
少数载流子对电导的贡献为：?p?pq?p??pq?p?gp?q?p
代入数据：?p?(p0??p)q?p??pq?p?1016?1.6?10?19?500?0.8s/cm
∴
?p?0???
?
0.8
?0.26?26﹪ 3.06
即光电导中少数载流子的贡献为26﹪
4.一块半导体样品的额外载流子寿命? =10?s，今用光照在其中产生非平衡载流子，问光照突然停止后的20?s时刻其额外载流子密度衰减到原来的百分之几？
解：已知光照停止后额外载流子密度的衰减规律为
?P(t)??p0e?
因此光照停止后任意时刻额外载流子密度与光照停止时的初始密度之比即为
t??P(t)
?e? ?P0
?
t
当t?20?s?2?10?5s时
20??P(20)
?e10?e?2?0.135?13.5﹪ ?P0
5. 光照在掺杂浓度为1016cm-3的n型硅中产生的额外载流子密度为?n=?p= 1016cm-3。计算无光照和有光照时的电导率。
解：根据新版教材图4-14（a）查得ND=1016cm-3的n型硅中多子迁移率
?n?1100cm2/(V?s)
少子迁移率
?p?500cm2/(V?s)
设施主杂质全部电离，则无光照时的电导率
?0?n0q?n?1016?1.6?10?19?1100?1.76 s/cm
有光照时的电导率
???0??nq(?n??p)?1.76?1014?1.6?10?19?(1100?400)?1.784 s/cm
6.画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的费米能级和光照时的准费米能级。
EC
EFn
EF EV
光照前能带图光照后（小注入）能带图
注意细节：
① p型半导体的费米能级靠近价带；
② 因为是小注入，?p<<p0，即p=(p0+?p)≈p0，因此EFp非常靠近EF，但EFp必须在EF之下，因为p 毕竟大于p0
③ 即便是小注入，p型半导体中也必是?n>>n0，故EFn要远比EF更接近导带，但因为是小注入，?n <<p0，所以EFn距导带底的距离必大于EF距价带顶的距离。 上述带色字所强调的两个细节学生容易忽略，要多加关注。
EFp
7. 光照在施主浓度ND=1015cm-3的n型硅中产生额外载流子?n=?p=1014cm-3。试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级作比较。
解：设杂质全部电离，则无光照时n0?ND 由n0?nie
?Ei?EFkT
得光照前
n01015
EF?Ei?kTln?Ei?0.026ln?Ei?0.289eV 10
ni1.5?10
光照后n?n0??n?1.1?1015cm?3,这种情况下的电子准费米能级
n1.1?1015
EFn?Ei?kTln?Ei?0.026ln?Ei?0.291 eV
ni1.5?1010
空穴准费米能级
EFp
p1014
?Ei-kTln?Ei?0.026ln?Ei?0.229 eV 10
ni1.5?10
与EF相比，电子准费米能级之差EFn?EF?0.002 eV，相差甚微；而空穴准费米能级之差EF?EFp?0.518 eV，即空穴准费米能级比平衡费米能级下降了0.52eV。由此可见，对n型半导体，小注入条件下电子准费米能级相对于热平衡费米能级的变化很小，但空穴
准费米能级变化很大。
8. 在一块p型半导体中，有一种复合－产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的几率。试求这种复合－产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？
解：用ET表示该中心的能级位置，参照参考书的讨论，知单位时间单位体积中由ET能级发射回导带的电子数应等于ET上俘获的电子数nT与电子的发射几率S－之积（S－＝rnn1），与价带空穴相复合的电子数则为rppnT；式中，rpp可视为ET能级上的电子与价带空穴相复合的几率。由题设条件知二者相等，即
rnn1?rpp
式中n1?NCe
?EC?ETkT
。对于一般复合中心，rn?rp或相差甚小，因而可认为 n1＝p；再由小
注入条件p=(p0+?p)≈p0，即得
n1?p0
即
EC?ETkT
EF?EVkT
NCe
由此知
?
?NVe
?
NC
NV
ET?EC?EV?EF?kTlnN1
(Ec?Ev?k0Tlnc) 2Nv
∵本征费米能级Ei?
∴上式可写成ET?2Ei?EF，或写成
ET?Ei?Ei?EF
室温下， p型半导体EF一般远在Ei之下，所以ET远在Ei之上，故不是有效复合中心。
10.一块n型硅内掺有1016cm-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1016cm-3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？
－
解：n型Si中金能级作为受主能级而带负电成为Au，其空穴俘获率
rp?1.15?10?7cm3/s
因而n型Si中的少子寿命
?p?
11?10
??8.7?10s ?716
rpNT1.15?10?10
＋
p型Si中金能级作为施主能级而带正电成为Au，其电子俘获率
rn?6.3?10?8cm3/s
因而p型Si中的少子寿命
?n?
11
??1.59?10?9s ?816
rnNT6.3?10?10
11．在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：
① 载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）的半导体区域。 ② 在只有少数载流子被耗尽（例如pn<<pn0而nn=nn0）的半导体区域。 ③ 在n=p的半导体区域，这里n>>ni。
解：⑴载流子完全耗尽即意味着n?ni，p?ni，np?ni2，因而额外载流子的复合率
U?
np?ni2
?p(n?nie
Ei?Ec
k0T
)??n(p?nie
Ei?Etk0T
?0 )
即该区域产生大于复合，故有载流子净产生。
⑵若nn?nn0，pn?pn0，则nnpn?nn0pn0?ni，即np?ni2按上列复合率公式知该区域复合率U<0，故有载流子净产生。
⑶若n?p且n?ni，则必有np?ni2，按上列复合率公式知该区域U>0，即该区域有载流子的净复合。
2
12、对掺杂浓度ND =1016cm-3、少数载流子寿命?p=10?s的n型硅，求少数载流
子全部被外界清除时电子-空穴对的产生率。（设ET=Ei）
解：在少数载流子全部被清除（耗尽）、即n型硅中p=0的情况下，通过单一复合中心进行的复合过程的复合率公式 (5-42) 变成
?ni2
U?
?p(n?ni)??nni
式中已按题设ET=Ei代入了n1=p1=ni。由于n=ND =1016cm-3，而室温硅的ni只有1010cm-3量级，因而n+ni>>ni，上式分母中的第二项可略去，于是得
?ni2-(1.5?1010)29?3?1
U????2.25?10 cm?s?61610
?p(n?ni)10?10?(10?1.5?10)
复合率为负值表示此时产生大于复合，电子-空穴对的产生率
G??U?2.25?109 cm?3?s?1
另解：若非平衡态是载流子被耗尽，则恢复平衡态的驰豫过程将由载流子的复合变为热激发产生，产生率与少子寿命的乘积应等于热平衡状态下的少数载流子密度，因此得
(1.5?1010)2ni21ni2
??2.25?109 cm?3?s?1 G?????616
?p?pn0?pND10?10?10
p0
《五个画钩全文》
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